Учени от Московския физико-технически институт в Долгопрудний и техни колеги от САЩ създадоха уникални кондензатори от хафниев оксид, които са подходящи за използване като клетки на свръхбърза и почти "вечна" флаш памет, предаде ТАСС.
"Хрумването да се използват тези материали не е ново, но всички открити по-рано вещества с подобни свойства поради различни причини не трябва да се използват в наноелектрониката. Създаденият от нас кондензатор може да осигури до 10 милиарда цикъла на презаписване, т.е. броят им е 100 хиляди пъти по-голям в сравнение със съвременните компютърни флашки", заяви ръководителят на лаборатория в института Андрей Зенкевич.
Физиците отдавна знаят, че хафниевият оксид и някои други вещества, като солите на винената киселина, бария и титана, притежават необичайни свойства - електроните са разпределени неравномерно, но положението им може да бъде направлявано с помощта на електрично поле. Това позволява да се използват сегнетоелектрици - кристали на тези вещества, за създаване на нов тип енергонезависима памет, в която данните се съхраняват под формата на групички електрони.
До неотдавна физиците не бяха наясно как се извършва процесът на "презаписване" на положението на електрони в подобни материали. Това пречеше на създаването на клетки на паметта и на сложни структури на базата на подобен слой. Преди година физици от института и САЩ направиха първата крачка към решаването на тази задача, изяснявайки как се променя устройството на сегнетоелектрици при попадането им в електрично поле.
Благодарение на тези данни Зенкевич и колегите му направиха следващата крачка - създадоха първите пълноценни кондензатори на базата на хафниев оксид, които е възможно да бъдат произведени с помощта на методи на съвременната наноелектроника. Става въпрос за тънък слой от сегнетоелектрици, чиято дебелина е по-малка от 10 нанометра. Към него са добавени електроди от волфрам и титанов нитрид.
Резултатите от изследването са публикувани в Nanoscale.